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| 都道府県 ： | 海外 |
契約社員
光通信研究開発マネージャー
| 求人管理No. | GR210014Q |
| 職種 | 研究開発(機械系) |
| 業務内容 |
1.Vcsel、PD、DFB、PF（そのうちの一つ）等のレーザー機器の設計、レイアウト設計 2.レーザー機器工程フローの作成、規格・性能仕様化、ストリームスライス・トラッキング、測定分析 3.レーザー機器の研究チームの管理及び教育 4.社内・社外各部門との連絡、調整及びプロジェクトの円滑な推進。 |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| スキル・資格 | 必須要件： ◇関連領域での実務経験8年以上 （半導体レーザー機器、半導体集成電路工程、レーザー機器応用及び要求等） ◇学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年後の方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 または 日本・東京 （ご希望考慮の上決定） |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊経験考慮の上決定。 ＊中国勤務の場合、各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 ＊日本勤務の場合、日本法人での採用となります。 （社保完備、その他の福利厚生に関しては応相談。） |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
LED Epitaxial開発エンジニア
| 求人管理No. | GR200779Q |
| 職種 | 研究開発(化学・素材系） |
| 業務内容 |
・開発プロジェクトの実行、フォロー、技術方案提案及び関連技術資料の制定、Patentを書く ・New Techndogy of epitaxyの開発・調整及び稼働率優化 ・試作段階から量産までの投入及びフォロー、製品に関して技術問題の分析、解決。 ・競合製品の分析、纏め及び市場状況によりもっと総合競合能力がある新しい製品を開発し、重点プロジェクト主導する。 領域： Infrared.850、Laser display技術、植物照明、Medium and high pawer、自動車用、Micro LED |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| 応募条件 |
・LEDエピタキシャル開発実務経験8年以上 ・学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能であれば尚可。 ＊定年を超えた方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 または 日本・東京 （ご希望考慮の上決定） |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 (有期) |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊経験考慮の上決定。 ＊中国勤務の場合、各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 ＊日本勤務の場合、日本法人での採用となります。 （社保完備、その他の福利厚生に関しては応相談。） |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
LED チップ（R＆D）プロセスエンジニア
| 求人管理No. | GR210000Q |
| 職種 | 生産技術・製造技術(化学・素材系） |
| 業務内容 |
LED チップのプロセス開発をご担当頂きます。 |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| 応募条件 |
必須要件： ◇関連領域での実務経験8年以上 ◇学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 具体的には ◇以下のどれか一つ以上の領域に精通していること a. Solid state Laser chip or PKG process b. Vertical chip process c. Flip chip process d. High voltage chip process ◇以下のご経験をお持ちの方 ・新素材（原材料、ITO、DBR、パッド、パッシベーション等の材質を含む）開発 ・チップ設計（フルデバイスのレイヤーアウト、パッドの構造、DBR ...） ・歩留まりの向上 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年を超えた方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 または 日本・東京 （ご希望考慮の上決定） |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 (有期) |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊経験考慮の上決定。 ＊中国勤務の場合、各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 ＊日本勤務の場合、日本法人での採用となります。 （社保完備、その他の福利厚生に関しては応相談。） |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
フィルタ（SAW/BAW/IPD）設計マネージャー
| 求人管理No. | GR210017Q |
| 職種 | 研究開発(電気・電子系) |
| 業務内容 |
フィルタ（SAW/BAW/IPD等）の開発おいて以下の業務をご担当頂きます。 1.プロジェクト投入の仕組みの構築及び研究製品の量産化 2.プロジェクト推進計画及び管理（流れなど含め） 3.プロジェクトの管理及び推進 4.上司に割り振られたプロジェクトの計画、推進、監督、および継続的な改善 5、フィルタ設計を社内の水平展開 |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| 応募条件 |
必須要件： ◇関連領域での実務経験8年以上（ＳＡＷ/ＢＡＷ/ＩＰＤ フィルタ分野） ◇学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年後の方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 または 日本・東京 （ご希望考慮の上決定） |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊経験考慮の上決定。 ＊中国勤務の場合、各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 ＊日本勤務の場合、日本法人での採用となります。 （社保完備、その他の福利厚生に関しては応相談。） |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
Vcsel技術マネージャー
| 求人管理No. | GR210015Q |
| 職種 | その他設計(機械系) |
| 業務内容 |
1.VCSEL製品技術の開発及び指導、関連する製品開発検証レポートの提供 2.VCSEL製品の生産プロセス開発の指導、試作品検証レポート、操作説明書の提供 3.顧客満足度向上を目的とした、VCSEL特性および生産工程技術分析、改善。 |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| 応募条件 |
必須要件： ◇関連領域での実務経験8年以上（VCSEL製品開発及び製造経験 等） ◇学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年後の方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 または 日本・東京 （ご希望考慮の上決定） |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊経験考慮の上決定。 ＊中国勤務の場合、各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 ＊日本勤務の場合、日本法人での採用となります。 （社保完備、その他の福利厚生に関しては応相談。） |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
R&Dエンジニア（サファイア基板）
| 求人管理No. | GR210002Q |
| 職種 | 研究開発(化学・素材系） |
| 業務内容 |
1.サファイア結晶成長のR＆D計画、プロジェクトの実施、技術文書の作成、および関連する特許草案の実施。 2.サファイア結晶成長プロセスの開発、デバッグ、および最適化。 3.サファイア結晶成長の大量生産の導入、および製品関連の技術的問題の分析と解決。 4. PSS競合製品の収集と分析、Epitaxial製品の仕様に沿った製品の開発。 5.Plain radiographs+ PSSプロセスの改善。 |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| 応募条件 |
必須要件： ・関連領域での研究開発実務経験8年以上 （サファイア基板、Kyropoulos method、Plain radiographs、PSS等の分野） ・学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年を超えた方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 転勤 | なし |
| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 (有期) |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊経験考慮の上決定。 ＊各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
生産管理（LED チップ、LED Epitaxia 等）
| 求人管理No. | GR210001Q |
| 職種 | 生産管理・品質管理・品質保証(化学・素材系） |
| 業務内容 |
LED チップ、LED Epitaxiaの生産管理 1.Lean生産プロジェクト管理、改善主導 2.人員、設備、物流などの稼働率を高める |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学卒以上 |
| 応募条件 |
必須要件： ・LEDメーカー等での生産管理実務経験8年以上 ・学歴：大卒以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年を超えた方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 転勤 | なし |
| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 (有期) |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊経験考慮の上決定。 ＊各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
LEDチップ開発エンジニア
| 求人管理No. | GR200784Q |
| 職種 | 研究開発(化学・素材系） |
| 業務内容 |
1.新しいLEDチップ製品、新しいプロセスおよび新しい材料の開発 2.新しい製品の導入、プロセスの改善、製品の歩留まりの改善 等 領域： 赤外線850波長、レーザーディスプレイ技術、プラント照明、中高出力、自動車、マイクロLED |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| 応募条件 |
必須要件： ・LEDチップ開発実務経験8年以上 ・学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年を超えた方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | 中国福建省厦門 または 日本・東京 （ご希望考慮の上決定） |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 (有期) |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊中国勤務の場合、各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 ＊日本勤務の場合、日本法人での採用となります。 （社保完備、その他の福利厚生に関しては応相談。） |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
エピタキシー（R＆D）エンジニア
| 求人管理No. | GR200785Q |
| 職種 | 研究開発(化学・素材系） |
| 業務内容 |
エピタキシー研究開発 領域： Laser、GaN on Silicon、UV、Traditional lighting、uLED、mini LED、special engineering...etc |
応募条件 |
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| 学歴 | 大学院卒以上 |
| 応募条件 |
必須要件： ・関連領域での研究開発実務経験8年以上 ・学歴：修士以上（物理学、化学、マイクロエレクトロニクス、材料などの専攻が望ましい。） ・以下のどれか一つの領域に精通していること Laser、GaN on Silicon、UV、Traditional lighting、uLED、mini LED、special engineering...etc 望ましい経験・スキル： ・英語または中国語でのコミュニケーションが可能。 ＊定年を超えた方もご応募可能です。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | 中国 福建省厦門 または 日本・東京（研究所） ＊ご希望考慮の上、決定。 |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 (有期) |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収800万円 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 年収 800-2300万円位 ＊中国勤務の場合、中国本社での直接採用となります。 各種保険あり。住宅補助等あり。 その他の福利厚生に関しては応相談。 ＊日本勤務の場合、日本法人での採用となります。 （社保完備、その他の福利厚生に関しては応相談。） |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |
契約社員
超高輝度LEDエピタキシャルウエハー、チップ、III V化合物半導体等扱う企業のドイツ研究所でのR&D本部長
| 求人管理No. | GR220896Q |
| 職種 | 研究開発(化学・素材系） |
| 業務内容 |
中国系大手企業の、設立して間もないドイツ研究所でのポジジョンとなります。 主な業務： ドイツにおける研究開発センターの設立と運営管理、技術者の採用、研究開発チームの構築、他事業部との連携、年間目標達成のための技術開発サポートなど。 その他、上司の指示による業務。 商材領域：フルカラー、超高輝度LEDエピタキシャルウエハー、チップ、III V化合物半導体、マイクロ波通信IC、パワーデバイス、光通信部品 RFフィルター、SIC材料とデバイス 等 |
応募条件 |
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| 応募条件 |
・電子物理学、半導体のいずれかを専攻し、15年以上の同領域での実務経験を有する方。 ・現在または過去に8年以上のチームまたはプロジェクトマネジメントの経験があること。 ・目標・結果志向で、問題発見・解決に優れた実績を有すること。 ・コミュニケーション能力の高い、多文化チームのリーダーシップとマネジメントの実績がある方 望ましい経験・スキル： ・英語またはドイツ語、中国語等でのコミュニケーションが可能であれば尚可。 |
勤務地 |
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| 勤務地詳細 | ドイツ ミュンヘン |
勤務体系 |
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| 雇用区分 | 契約社員 |
| 勤務時間 | 現地規定による |
給与待遇 |
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| 賃金 | 年収 ご希望、ご経験考慮の上決定。 |
| 休日休暇 | 現地規定に準ずる |
| 福利厚生 | 諸条件については応相談 |
企業情報 |
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| 設立 | 2000年11月 |
| 従業員数 | 10,000 |
| 業種 | 化学・素材(メーカー） |
| 事業内容 | LEDエピタキシャルウェハー、Chip、3‐5族化合物半導体、マイクロ波通信用集積回路及びパワーデバイス、光通信部品などの設計、生産及び販売。2018年からガリウム砒素高速半導体とガリウム窒化高パワー半導体のプロジェクト投入、RFフィルタ、パワーエレクトロニクス、SiC材料およびデバイス、特殊パッケージなどの部品開発、試作を開始。 2000年設立、2008年上海市場上場。現在アモイ、天津、湖、泉州等のエリアで9か所の工場があり、日本・東京、ドイツ・ミュンヘンに研究所があります。 |